器件厚度仅为0.88mm，有效节省空间，采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装，可改善热性能并提高效

意法半导体发布一个八路输出高边开关产品系列。

大联大控股宣布，其旗下世平推出基于雅特力（Artery）AT32F413芯片的高压直流无刷电机驱动方案。

双方将合作研发先进功率半导体技术，推动航空业向混动和纯电动系统转型；合作研发的半导体器件将助力未来的混动直升机、飞机、以及空客的ZEROe（零排放飞机计划）和CityAirbus NextGen（下一代城市空中客车）中发挥重要作用

Melexis最新推出电机驱动芯片MLX81334，可大幅优化电动汽车热力阀（精准的电池温度控制）和膨胀阀（热泵制冷循环），显著增加电动汽车续航里程。

采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区

在更高开关频率的应用中，基于SiC的组件相比IGBT组件更具优势。SiC技术还为800V电池的开发提供了设计优势。它可以缩小OBC系统的尺寸并提高“从发电到驱动”的整体效率。

就在几年前，GaN还被认为是一种无用的半导体，这主要是因为GaN是一种非常不完美的晶体。因此，科学家和工程师克服了重重困难，才使GaN可用于各种应用。本文将介绍GaN技术的起源，让我们来先睹为快。

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

有证据表明，GaN晶体管可以满足现代和未来数据中心的需求，同时让能源使用得到进步。

东芝今日宣布，面向消费类产品和工业设备推出电机驱动IC“TB67S581FNG”、“TB67S580FNG”、“TB67H481FNG”和“TB67H480FNG”，其需要的外部部件数量不仅有所减少，而且还采用了极为通用且节省空间的小型封装。

意法半导体的IPS8160HQ和IPS8160HQ-1高边开关具有八路功率输入输出，采用尺寸紧凑的QFN48L封装，还附加很多安保诊断功能。

在本文中，我将对不同的电机控制实现方案进行比较，包括分立式和完全集成式选项，从而帮助您找到适合您设计的方法。

在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。

东芝宣布推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。