东芝今日宣布，面向消费类产品和工业设备推出电机驱动IC“TB67S581FNG”、“TB67S580FNG”、“TB67H481FNG”和“TB67H480FNG”，其需要的外部部件数量不仅有所减少，而且还采用了极为通用且节省空间的小型封装。

意法半导体的IPS8160HQ和IPS8160HQ-1高边开关具有八路功率输入输出，采用尺寸紧凑的QFN48L封装，还附加很多安保诊断功能。

在本文中，我将对不同的电机控制实现方案进行比较，包括分立式和完全集成式选项，从而帮助您找到适合您设计的方法。

在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。

东芝宣布推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。

6月8日，在由国际科技媒体集团Aspencore主办的2023国际AIoT生态发展大会智能网联汽车分论坛上，基本半导体、泰克科技、英伟达、易特驰等，来自芯片、方案及应用领域的厂商齐聚一堂，从碳化硅功率器件到车规级超大算力芯片，从以太网测试技术到汽车软件开发的整车OS，共话智能网联汽车。

在设计USB PD适配器和充电器时，要满足COC V5 Tier2 等最新的能效标准，并考虑小型化设计以配合移动便携式设备等轻薄短小但功能丰富多样的趋势。

在由AspenCore主办的2023国际AIoT生态发展大会的智能网联汽车分论坛上，深圳基本半导体有限公司器件研发总监张学强发表了“未来已来——功率半导体的碳化硅时代”主题演讲。

全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元，部署5G基站更快、更轻松；简化设计和制造，同时保证性能。

器件通过AEC-Q102认证，开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平

尼得科和瑞萨电子已达成共识，将合作开发应用于新一代E-Axle（X-in-1系统）的半导体解决方案，该新一代E-Axle系统集成了电动汽车（EV）的驱动电机和功率电子器件。

本电路中的MOSFET可以在恒温电路中用作加热器和温度传感器。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器，其他用途则可能包括塑料切割/焊接、电子元器件恒温，甚至软焊接。

在本文中，我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势，这项新功能可让设计人员优化系统参数，例如效率（影响电动汽车行驶里程）和 SiC 过冲（影响可靠性）。

在进行电动汽车高压电源以及电驱动设计时，工程师有四大目标：第一，希望设计出更高效的牵引逆变器；第二，需要提高功率密度；第三，需要设计出高可靠性的系统；第四，需要降低系统复杂度。

许多技术，如5G、机器学习、边缘计算、更快更高效的处理器以及低功率广域网络(LPWAN)正在推动嵌入式物联网连接的未来。这些技术使这些智能设备能够广泛应用于游戏、国防、医疗保健、制造和供应链等各个行业。