增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)已经采用两种不同的结构开发出来。这两种增强型结构是金属-绝缘层-半导体(MIS)结构和栅极注入晶体管(GIT)结构。MIS结构具有受电压驱动的小栅极漏电流，而GIT则具有脊形结构和高阈值电压。两者也都有一些缺点。MIS对栅极干扰的可靠性较低，阈值电压较低，而GIT的栅极开关速度较慢，栅极漏电流较大。

恒定频率振荡器是555定时器的经典应用之一。然而，由于所用二极管的特性不理想，占空比的间隔会随着温度和V+电源的变化而变化。本设计实例给出了一种解决方法：利用反极性P沟道MOSFET引导电容的充电电流而不产生任何明显压降。

电子是当今的热门话题，许多孩子们也期望了解并掌握这个重要技术的基本原理。本文是一个面向孩子们的基础电子课程，将并以简单有趣的方式教他们基础知识，激发他们的兴趣。

智能手表迄今为止仍被普遍视为智能手机配件。尽管智能手表时尚酷炫，但是当您必须随身携带手机时，它的存在就会略显多余。而且，并不是任意一款手机都能与智能手表相兼容。

本文将为初学者提供一些实用的布局、提示和技巧，可以帮助您避免事故或解决各种问题。该系列将不定期发布。

下面介绍的这款DS18B20制作的测温系统，测量的温度精度达到0.1度，测量的温度的范围在－20度到＋50度之间，用4位数码管显示出来。DS18B20的外型与常用的三极管一模一样，用导线将JK—DS的DA端连到P3.1上。连接好DS18B20注意极性不要弄反，否则可能烧坏。

在最初使用MP1584降压电路时，发现照着芯片手册的官方给出的参数去设置，发现还是有坑的，经过修改后，目前这个降压电路已经使用了很多年，经过几千产品量的打板实践，个人感觉还是算稳定的。为了帮助大家避开官方手册以及其他的一些坑，笔者特地撰文与大家分享一个常用的DC-DC的电路设计……

本文将演示芯片级封装(CSP) GaN FET提供的散热性能为什么至少能与硅MOSFET相当，甚至更胜一筹。GaN FET由于其卓越的电气性能，尺寸可以减小，从而能在不违背温度限制的同时提高功率密度。本文还将通过PCB布局的详细3D有限元仿真对这种行为进行展示，同时还会提供实验验证，对分析提供支持。

虽然GaN器件可实现更高的功率密度，但为了实现高可靠性的适销对路的适配器设计，仍有一些系统级问题需要解决。这些问题以散热设计和EMI合规性为中心。适配器内的电子电路必须要在放置它们的狭小空间中保持冷(表现出低温升)静(低发射噪声)。本文将着眼于实现这些目标的技术。

整个电力电子行业，包括射频应用和涉及高速信号的系统，都在朝着在越来越小的空间内提供越来越复杂的功能的解决方案发展。设计人员在满足系统尺寸、重量和功率等要求方面面临着越来越苛刻的挑战，其中包括有效的散热管理，这又从PCB的设计开始。

本文包括两部分，我们主要探讨芯片供应商和OEM之间的相互关系，以及他们为何必须携手合作以完成各个制造阶段的漏洞保护。第一部分指出了IC制造生命周期每个阶段中存在的威胁，并说明了如何解决这些威胁。第二部分着重说明了OEM所特有的安全风险，并指出了最终产品制造商和芯片供应商如何承担各自的责任。

加温电路的主要目的是为了在低温时，电路发挥作用为PCB板进行加热保温使其温度可以保持在器件可运行的最低温度以上，所以并不需要对温度进行精确的控制。因此制定以下方案，使用电阻与NTC温敏电阻进行分压，对一只MOS管或三极管进行控制。当温度低到一定阈值时，电阻与NTC电阻分压升高，打开加温电路，当温度回升后分压下降，降电路关闭。

带宽有限(band-limited) 采样频率大于2倍信号最高频率后可以无失真的恢复出原始信号。实际中，信号往往是无线带宽的，如何保证带宽有限?所以，我们在模拟信号输入端要加一个低通滤波器，使信号变成带宽有限，再使用2.5~3倍的最高信号频率进行采样。关于此我们下面将模拟数字转换过程将会看到。

电容，电容的作用简单来说就是存储电荷。我们都知道在电源中要加电容滤波，在每个芯片的电源脚放置一个0.1uF的电容去耦。但是，有些板子芯片的电源脚旁边的电容是0.1uF的或者0.01uF的，有什么讲究吗？

随着重型或商用车辆的电气化，为比电动乘用车更大的电池充电变得必要。由于时间就是金钱，特别是在物流领域，分配空闲时间进行充电或增加充电功率是首选方案。这导致了三种不同的充电方案。