三元NCM电池的电芯层级安全性也取决于其脱锂程度（即SOC）——业内大家都知道，高SOC下电芯会更不稳定，而过充滥用更是导致许多电池安全事故的直接原因。所以NCM的化学配比和SOC这两个变量会如何同时作用来影响NCM电芯的安全性呢？这就是本文要研究的点。

在之前的系列文章中，我们研究了同相放大器的噪声，但是我忽略了反馈网络带来的噪声问题。一位读者向我提出疑问，并希望得到更多详细信息。那么，在图1中R1和R2带来的噪声是多少呢？

截至2020年1月，德国标准化学会(DIN)和德国电气工程师协会 (VDE) V0884-10: 2006-12不再是用于评估电磁和电容电隔离产品的固有绝缘特性和高压性能的有效认证标准。这标志着集成电路（IC）制造商三年过渡期的结束。

比较器是一个简单的概念-在输入端对两个电压进行比较。输出为高或者低。因此，在转换的过程中为什么存在振荡？

本非常见问题解释如何使用LTspice®音频WAV文件生成立体声语法（以及更高的通道计数）。

电容一端的条纹代表什么？我发现现在很少有工程师知道电容一端的条纹代表什么，也不知道条纹端和不带条纹端互换带来的不同效果。

放大电路的噪声性能受到输入电阻和反馈电阻Johnson噪声（热噪声）的影响。大多数人似乎都知道电阻会带来噪声，但对于电阻产生噪声的细节却是一头雾水。

可以选择一个运放来满足您的系统需求，这将有助于优化定价和降低设计总成本。

对于低噪声应用来讲，同相放大电路是最常见的，因此我们将主要探讨同相运算放大器。

对于所有全新开发的物联网设备来说，采取应对措施防止非易失性存储器的非授权修改，已成为一项基本的设计要求。

跨阻放大器（TIA）的输入阻抗是多少呢？无穷大还是零呢？都不是，究竟是多少？

PN节的反向偏置漏电流有很强的正温度系数，每升高10℃,漏电流大约增大一倍。 在figure1归一化曲线中可以看出，这种指数增长使得漏电流快速增加。到125℃时， 漏电流相对室温下增长了约1000倍。

IGBT和功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件，栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极。

基础环视系统为驾驶员提供可视化提示，从而让他们更加全面地了解周围环境。通过深度学习汽车摄像头捕获的视频图像，可提供更高级的服务，如检测空的停车位、自动泊车和启用无人驾驶的“自动代客泊车”功能。 

许多教材和参考指南将运算放大器（运放）定义为可以执行各种功能或操作（如放大、加法和减法）的专用集成电路（IC）。虽然我同意这个定义，但仍需注重芯片的输入引脚的电压。