GaN可以与硅材料结合，开发能够使能5G通信技术的芯片。

5G无线接收器需要中等的分辨率和速度，将SAR ADC与容性DAC耦合，是实现其高能效转换的常用方法。结合流水线、交错和数字校准等技术，混合ADC方案已经证明可以达到12位ENOB（有效位数）的精度，以及数百MHz的速度。凭借这些特性，这类ADC可以满足5G应用所需的高吞吐量要求。

伦敦大学学院研究人员设计并成功实现的技术，可用于观察电池的电化学「黑盒子」内部作业情况。他们的成功让我联想到：除此之外，其他还有什么也适于实时观察的电子相关操作或过程，而不至于影响正进行中的作业本身？

在最近以及可见的未来，科技会一直是世界经济的基础；身为技术开发者，你我都肩负重任：我们要对经济发展负责。

我在很久以前买到一个复古小手提箱的时候，就决定有一天要用它来做有趣的东西…现在时候到了！

这篇系列文章描述了如何利用GaN作为集成电路的衬底材料，用于5G高频应用，以提高5G基础设施中的功率放大器的效率。

增长驱动因素包括对虚拟现实（VR）和增强现实（AR）等低延迟要求设备不断增长的需求，以及对智能手机和平板电脑等现有智能设备的高速连接需求的持续增长。此外，5G还将催生大量新的网络应用，包括自动驾驶和大规模M2M通信，以及关键的物联网应用等。

就非常大的工作频率范围来说，GaN作为一种高性能应用的衬底材料之所以获得成功，是因为业界围绕将GaN基器件与CMOS器件的集成做了大量的研究活动。

RISC-V正在成为硅谷、中国乃至全球IC设计圈的热门话题，有人将之比作“半导体行业的Linux”。那么，RISC-V是什么？它与ARM架构相比有何优势和劣势？EDN记者就RISC-V的一系列问题对中国大陆本土唯一专注于RISC-V处理器内核开发的芯来科技（Nuclei System Technology Co., Ltd.）公司创始人胡振波进行了采访。

当下热门的5G、新能源汽车、物联网、工业4.0、智能家居等领域，是驱动整个市场及经济成长的主要动力，林升标指出高频化低噪音、高效率、高集成度、智能化是功率器件的趋势。那么风口在这，什么样的厂商才能脱颖而出呢？MPS又是如何脱颖而出的呢？

本文是本系列文章的最后一部分，将从用于自动设置的偏置伺服电路开始。对于相同的器件型号，FET夹断或阈值电压可能有很大差异。为了正确偏置它们以获得预定的漏源电阻，用户必须手动校准栅极和源极之间的偏置电压。通过匹配的双FET或四FET阵列可以很容易地偏置栅源电压。

在ICCAD 2018期间，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军教授的报告显示，全国共有1698家设计企业，比去年的1380家多了318家——而且这是在2016年设计企业数量大增600多加后，再次出现企业数量大增的情况。

从小学的时候开始自学电子（1970年代晚期或1980年代初期）；我爸妈有买一套「Radio Shack 300-in-1」电子工具组给我，而我的玩具只要是有机械或电子零件的，大概全都被我拆开过…几十年来我一直在玩电子。

圆形的Honeywell T-86恒温器是在1953年问世，这款产品完全不靠软件与电子来控制，超过半世纪以来已经在全球市场出货上百万个，而且很多都还在使用中...

本设计实例描述了极点和零点的直觉概念，使用运算放大器来控制它们在复平面中的位置，并使用一个单端口电路的自然响应来说明极点/零点位置的影响。单端口的自然响应由其阻抗Z(s)的根控制：极点控制开路电压响应v_n(t)，零点控制短路电流响应i_n(t)。从某种意义上说，根就是单端口的DNA。