近日，EDN小编从中国科学技术大学官网获悉，该校郭光灿院士团队在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展，在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控，以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控，该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值。

制造商在生产高质量SiC衬底时面临着多重挑战。

近日，瑞典皇家理工学院的瓦伦堡木材科学中心(WWSC)和林雪平大学的研究团队取得了突破性的进展，首次成功地使用导电木头制造出了晶体管。这种晶体管不仅可以控制电流，而且还具有可降解、可持续、低成本等优点。相关研究成果发表在《美国国家科学院院刊》(PNAS)。

未来，物联网市场表现出5个发展趋势：1.数字化驱动强劲需求；2.从云计算到边缘计算；3.对数据管理的重视度不断提升；4.更多样化、更复杂化的应用；5.物联网技术的融合。然而，物联网市场发展所面临的挑战，则包括数据安全、成本和功耗，以及缺乏通用标准和互操作性等。

据BleepingComputer消息，近日在Arxiv.org上发表的一篇技术论文揭示了一种针对多代英特尔CPU的攻击手法——利用新的侧信道攻击，让数据通过EFLAGS寄存器泄露。该攻击是由清华大学、马里兰大学和中国教育部计算机实验室(BUPT)的研究人员发现的。

对用于高频车载充电器的混合双向PFC的分析突出了GaN和SiC等宽禁带半导体在高频工作中带来的优势。

DC-DC转换器是电动汽车(EV)的重要组成部分，可改变电压值以运行需要低或高直流电压的不同应用。

不正确的接地会在数据记录、数据采集以及测量和控制系统中产生问题。

近日，剑桥大学生物启发机器人实验室的研究人员创造了一种新的基于水凝胶的皮肤，这种极其柔韧的皮肤使用一系列电极和一种算法重建触觉刺激，让机器人能够检测物体的触觉特性，复制人类的触觉，有望促进软体机器人的开发。

随着可持续的能力提高以及成本降低，带动快速充电技术的进步，可望成为电动汽车(EV)快速充电站扩展的主要推动力，并进而推动电动汽车市场增长…

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

乍看之下，数据中心(或者说“服务器群”)产生的兆瓦级的废热似乎是一种真正的能源浪费，但它们也带来了独特的回收、采集与再利用机会…

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。

相较于传统的直播场景，下一代的直播场景则主要为多对多模式，即每个人都是主播，既是数据源也是接收器，这样的场景包括连线观赏、直播购物、在线拍卖和社交流媒体等。这样的应用场景要求对数据的处理更加贴近用户，要求把这样的处理转移到网络的边缘。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。