增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)已经采用两种不同的结构开发出来。这两种增强型结构是金属-绝缘层-半导体(MIS)结构和栅极注入晶体管(GIT)结构。MIS结构具有受电压驱动的小栅极漏电流，而GIT则具有脊形结构和高阈值电压。两者也都有一些缺点。MIS对栅极干扰的可靠性较低，阈值电压较低，而GIT的栅极开关速度较慢，栅极漏电流较大。

恒定频率振荡器是555定时器的经典应用之一。然而，由于所用二极管的特性不理想，占空比的间隔会随着温度和V+电源的变化而变化。本设计实例给出了一种解决方法：利用反极性P沟道MOSFET引导电容的充电电流而不产生任何明显压降。

本文将为初学者提供一些实用的布局、提示和技巧，可以帮助您避免事故或解决各种问题。该系列将不定期发布。

本文将演示芯片级封装(CSP) GaN FET提供的散热性能为什么至少能与硅MOSFET相当，甚至更胜一筹。GaN FET由于其卓越的电气性能，尺寸可以减小，从而能在不违背温度限制的同时提高功率密度。本文还将通过PCB布局的详细3D有限元仿真对这种行为进行展示，同时还会提供实验验证，对分析提供支持。

本文我将对一款最便宜的带有USB 5V输出的中国产太阳能充电器进行实际测试。该充电器采用26cm×14cm的单面板形式，并具有集成转换器——如果可能的话，应产生稳定的5V输出。在这个话题中，我将检查在阳光明媚的3月或4月是否可以用它来为手机充电，然后展示其内部逆变器的样子。测试将从典型的用户角度进行，即我将拿两部手机（三星和苹果），检查它们是否可以在阳光明媚的日子里充电到任何显著程度。

虽然GaN器件可实现更高的功率密度，但为了实现高可靠性的适销对路的适配器设计，仍有一些系统级问题需要解决。这些问题以散热设计和EMI合规性为中心。适配器内的电子电路必须要在放置它们的狭小空间中保持冷(表现出低温升)静(低发射噪声)。本文将着眼于实现这些目标的技术。

整个电力电子行业，包括射频应用和涉及高速信号的系统，都在朝着在越来越小的空间内提供越来越复杂的功能的解决方案发展。设计人员在满足系统尺寸、重量和功率等要求方面面临着越来越苛刻的挑战，其中包括有效的散热管理，这又从PCB的设计开始。

在已经有全球最大的“中国天眼”的背景下，我国为什么还要打造“中国复眼”？二者在技术原理和用途上又有什么不同呢？

在AspenCore举办的“2022国际AIoT生态发展大会”上，“智慧两轮车分论坛”的圆桌讨论环节邀请到全志科技、威灵电机、发掘科技、台铃科技和灵动微电子五家两轮车市场的芯片商、方案商、系统商和整车厂，围绕“智慧两轮车市场如何弯道超车？”的主题展开了讨论。

日前，在AspenCore举办的“2022国际AIoT生态发展大会”的“智慧两轮车分论坛”上，广东威灵电机制造有限公司两轮车项目经理刘海量分享了“两轮车电动力系统技术发展趋势与解决方案”主题演讲。

日前，在AspenCore举办的“2022国际AIoT生态发展大会”的“智慧两轮车分论坛”上，发掘科技战略发展总监屈博发表了“V2X场景中的两轮车方案”主题演讲。

在AspenCore举办的“2022国际AIoT生态发展大会”的“智慧两轮车分论坛”上，易事特集团创始人何思模带来了“新能源智能换电规范化‘大河马’赋能产业高质量发展”主题演讲。

在AspenCore举办的“2022国际AIoT生态发展大会”上，英特尔公司高级首席工程师、物联网事业部中国区首席技术官张宇博士通过视频方式分享了“边缘AI技术发展趋势与展望”主题演讲。

最近，Google悄然发布了一款价格较低的第三代设计，其中唯一值得注意的改进(至少在外观上)是将基于USB-C连接器的电源转变为基于桶形连接器的电源。在我的三件套翻新机中，有两件是第二代AC-1304型号，但第三件是第一代 NLS-1304-25，这也正是此次要拆解分析的对象。

在AspenCore举办的“全球MCU生态发展大会”上，安谋科技解决方案总监邹伟发表了“面向未来物联网的高密度、高可靠、高安全性的计算平台”主题演讲。