输出端可以看到两颗高压滤波电解电容以及工字电感。
工字电感外套热缩管。
两颗高压滤波电解电容来自艾华，规格都是400V 22μF。
连接小板上设有开关电源主控芯片、氮化镓功率芯片、光耦以及Y电容。
将模块拆分开，输入端小板上还有变压器。
开关电源主控芯片采用南芯SC3021C，满足各类高频QR快充需求。SC3021C专有GaN直驱设计，省去外置驱动器或者分立驱动器件。集成分段式供电模式，单绕组供电，无需复杂的供电电路。内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能，集成了X-cap放电功能。SC3021C最高支持170KHz工作频率，适用于绕线式变压器。
南芯SC3021C资料信息。
氮化镓功率芯片采用英诺赛科INN650DA04，耐压650V，导阻480mΩ（max），具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6封装，实现小体积、高效率。
值得一提的是，英诺赛科的“InnoGaN”氮化镓功率开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
英诺赛科INN650DA04资料信息。
INN650DA04是InnoGaN系列第二代新品，此前已被努比亚30W氮化镓快充、睿元实业33W 1A1C氮化镓快充、REMAX 30W氮化镓快充采用。第一代氮化镓功率芯片INN650D02此前已被联想小新100W双USB-C口氮化镓快充、努比亚120W 2C1A三口氮化镓快充、羽博65W 1A1C氮化镓快充、品胜65W 2C1A氮化镓快充、红魔手机6 Pro标配120W PD氮化镓快充、摩米士100W 2A2C氮化镓快充、魅族65W氮化镓充电器、ROCK 65W 2C1A氮化镓快充等多款产品采用，芯片质量获得市场认可。
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