延时保险丝规格为3.15A 250V。
05D511K压敏电阻特写。
安规X电容特写。
共模电感双线绕制，用于滤除EMI干扰。
WRMSB30M整流桥来自沃尔德，采用两颗以均摊发热。
滤波电感特写。
充电器初级侧一共设有五颗高压滤波电解电容，均来自万京源，其中四颗规格为400V 22μF，一颗规格为400V 33μF。
开关电源主控芯片采用南芯SC3021C，满足各类高频QR快充需求。SC3021C专有GaN直驱设计，省去外置驱动器或者分立驱动器件。集成分段式供电模式，单绕组供电，无需复杂的供电电路。内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能，集成了X-cap放电功能。SC3021C最高支持170KHz工作频率，适用于绕线式变压器。
南芯SC3021C资料信息。
充电头网拆解了解到，南芯SC3021x还被意象65W氮化镓充电器、努比亚30W氮化镓快充、古石科技迷你30W氮化镓快充、创富源迷你33W 1A1C氮化镓快充、、睿元实业33W 1A1C氮化镓快充、REMAX 30W氮化镓快充等数十款产品采用，品质获得客户高度认可。
高压开关MOS管采用英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片，额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。
INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。
值得一提的是，INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
英诺赛科 INN650D02 详细资料。
充电头网拆解了解到，该氮化镓开关管还被联想小新100W双C口氮化镓快充、努比亚30W氮化镓快充、努比亚120W 2C1A三口氮化镓快充、品胜65W 2C1A氮化镓快充、红魔手机6 Pro标配120W PD氮化镓快充、REMAX 100W氮化镓充电器、摩米士100W 2A2C氮化镓快充、努比亚65W PD氘锋氮化镓快充、飞频65W PD氮化镓充电器、魅族65W氮化镓充电器等多款产品采用，芯片质量获得市场认可。
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