10D471K压敏电阻特写。
共模电感双线绕制，用于滤除EMI干扰。
旁边红色安规X电容来自JURCC捷威电子。
另一颗共模电感特写，两级设计。
主板一侧设有整流桥、滤波电容、滤波电感和PFC升压电感。
KBJ1008整流桥特写。
两颗红色滤波电容也是来自捷威电子，105K450VDC。之间有一颗滤波电感，外套绝缘管。
电源主控芯片采用NXP恩智浦TEA2016AAT，内置LLC控制器和PFC控制器，内置数字架构控制，简化了设计的同时减少外围元件数量，芯片内置多重完善的保护功能。
PFC升压开关管采用两颗英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片，额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。
INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。
值得一提的是，INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
英诺赛科 INN650D02 详细资料。
充电头网拆解了解到，该氮化镓开关管还被联想小新100W双C口氮化镓快充、努比亚30W氮化镓快充、努比亚120W 2C1A三口氮化镓快充、品胜65W 2C1A氮化镓快充、红魔手机6 Pro标配120W PD氮化镓快充、REMAX 100W氮化镓充电器、摩米士100W 2A2C氮化镓快充、努比亚65W PD氘锋氮化镓快充、飞频65W PD氮化镓充电器、魅族65W氮化镓充电器等多款产品采用，芯片质量获得市场认可。
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