PCB板一侧设有整流桥、高压滤波电解电容、谐振电容等器件。
另一端有主控芯片供电电容、PFC升压电感、变压器、指示灯、输出滤波固态电容等。
整流桥特写，15A800V耐压。
滤波电感外套绝缘管。
CBB22薄膜滤波电容，105J450V。
另一颗CBB22薄膜电容特写。
主控芯片供电电容特写，规格为50V 47μF。
充电器主控芯片采用NXP恩智浦TEA2016AAT，内置LLC控制器和PFC控制器，内置数字架构控制，简化了设计的同时减少外围元件数量，芯片内置多重完善的保护功能。
PFC升压开关管采用英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片，额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。
INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。
值得一提的是，INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
英诺赛科 INN650D02 详细资料。
充电头网拆解了解到，该氮化镓开关管还被联想小新100W双C口氮化镓快充、努比亚30W氮化镓快充、努比亚120W 2C1A三口氮化镓快充、品胜65W 2C1A氮化镓快充、红魔手机6 Pro标配120W PD氮化镓快充、REMAX 100W氮化镓充电器、摩米士100W 2A2C氮化镓快充、努比亚65W PD氘锋氮化镓快充、飞频65W PD氮化镓充电器、魅族65W氮化镓充电器等多款产品采用，芯片质量获得市场认可。
PFC升压整流管特写，为美浦森 MSM06065G1碳化硅二极管，采用DFN5*6封装，超薄封装节省体积，适用于高功率密度的大功率氮化镓适配器中。
PFC升压电感特写，包裹绝缘胶带。
三颗大的高压滤波电解电容规格为450V 22μF。
四颗小的电容规格为450V 10μF，滤波电容容量共计106μF。
MMKP82谐振电容，333J1000V。
谐振电感特写。
LLC开关电源的两颗高压开关MOS管也是采用的英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片。
变压器特写。
CT 1019光耦，用于初级次级通信，反馈输出电压。
Y电容特写。
另一颗Y电容特写，两颗均来自JNC东莞嘉耐电子有限公司。
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