WRMSB40M整流桥在主板背面，采用两颗以均摊发热。
主板中段区域设有工字电感、高压滤波电解电容、变压器、Y电容等。
工字电感外套绝缘管保护。
四颗高压滤波电解电容均来自Acon中元，三颗规格为400V 33μF，一颗规格为400V 22μF，总计121μF。
充电器主控芯片为ON安森美NCP1342，这是一颗高频反激准谐振初级PWM控制器，内置主动X2电容放电、支持宽范围Vcc供电、支持外接热敏电阻进行过热保护和多重完善的保护功能。
初级开关管采用纳微NV6115氮化镓功率芯片，该芯片为高频软开关拓扑优化。内置独立的驱动器以及复杂的逻辑控制电路，支持5-15V的宽范围逻辑信号输入。内置170mΩ导阻、耐压650V的氮化镓开关管，支持2MHz开关频率。采用5*6mm QFN封装，节省面积。
纳微半导体 NV6115 详细资料。
充电头网通过拆解了解到，纳微GaNFast功率芯片此前已被OPPO 50Ｗ饼干氮化镓快充、RAVPOWER 65W 1A1C氮化镓快充充电器、小米65W USB PD 氮化镓充电器、SlimQ 65W氮化镓USB PD快充充电器1A1C、Anker PowerCore Fusion PD超极充、RAVPower 45W GaN PD充电器、倍思65W氮化镓充电器、ROxANNE 66W氮化镓USB PD双口快充充电器等产品采用，获得市场高度认可。
变压器特写，RM8磁芯。
OR-1009光耦，用于初级次级通信，反馈输出电压。
Y电容特写。
次级同步整流控制器采用MPS MP6908A，最高工作频率600KHz，支持DCM/CCM/QR准谐振工作模式，内置振铃检测防止DCM和QR运行下误开通，支持逻辑电压和标准电压同步整流管。
同步整流管采用AGMsemi AGM1010。
两颗输出滤波固态电容规格为25V 470μF。
输出端焊接二次降压小板，对应USB-A母座处镂空。
小板正面一览，使用两路二次降压电路。
板子背面设有两颗电感以及两颗滤波电容。
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