近年来，在国家政策的积极导向下，国内半导体行业发展的如火如荼。许多巨头纷纷下注半导体，国内半导体行业全面开花。据充电头网了解到，CATL宁德时代创始人曾毓群已投资英诺赛科，持股2.1236%。
通过查询得知，在英诺赛科的股东列表中，大多为机构，少有出现个人投资者名字，宁德时代创始人曾毓群的名字非常亮眼。这也是他以个人名义投资的首家半导体企业。此次出手，可见他对第三代半导体的前瞻布局。联想到宁德时代近期在新能源市场动作频繁，尤其是在产业链上下游跟众多知名企业结成战略联盟，为宁德时代打造了一个资源丰富的生态链网络。
氮化镓作为第三代半导体中的明星产品，在新能源汽车三电系统、充电桩、充电枪、快充、储能、光伏逆变、自动驾驶等领域均有光明的应用场景。而电池和第三代半导体的组合，以及碳达峰碳中和的新型环保理念得到市场认可，也会让行业人士充满更多想象空间。
宁德时代：动力电池龙头企业
截止2021年11月9日，宁德时代股价报663.28元/股，总市值超1.54万亿元。
宁德时代新能源科技股份有限公司成立于2011年，是国内率先具备国际竞争力的动力电池制造商之一，专注于新能源汽车、动力电池系统、储能系统的研发、生产和销售，致力于为全球新能源应用提供一流解决方案，核心技术包括在动力和储能电池领域，材料、电芯、电池系统、电池回收二次利用等全产业链研发及制造能力。
2017年该公司动力锂电池出货量全球遥遥领先，达到11.84GWh。已与国内多家主流车企建立合作关系，并成功在全球市场上占据一席之地，也成为国内率先进入国际顶尖车企供应链的锂离子动力电池制造商。
2020年2月，宁德时代和特斯拉达成战略合作关系，宁德时代正式进入特斯拉动力电池供应商名单。这对两家公司都有着重要的影响。对特斯拉来说，把宁德时代纳入到供应商中，可以实现对政府100%国产化的承诺，还可以减轻成本；对宁德时代来说，特斯拉是新能源汽车的第一方阵，既可以提升宁德时代的知名度，又可以扩大产品销量，增加营收。
近年来，随着国家碳达峰和碳中和战略的立项，清洁能源产业受到前所未有的关注。其中包括新能源汽车、光伏、风能、储能等产业。宁德时代作为国内最大的动力电池巨头，乘着政策的东风不断起飞。
2021年7月，宁德时代发布了第一代钠离子电池。这在动力电池行业内引起了巨大轰动。与传统的锂电池相比，钠离子电池具有能量密度高、支持高倍率充电、热稳定性优异、低温性能优异和高集成效率的优势。随着新能源汽车产业的不断发展，宁德时代将会持续收获产业红利。
眼下，宁德时代引以为傲的就是动力电池技术，而这个技术是储能产业的重要基础。宁德时代寻求相关合作伙伴的想法呼之欲出，而英诺赛科就是其中的佼佼者。
英诺赛科：氮化镓芯片独角兽
英诺赛科成立于2015年12月，创始人骆薇薇博士曾担任NASA科学家。英诺赛科是一家8英寸硅基氮化镓芯片集成制造的企业，致力于用先进、高效、高性价比的硅基氮化镓技术助力新时代高效能源系统的建设。
2017年11月，英诺赛科率先在珠海建设完成全球首条8英寸硅基氮化镓量产线，后相继实现高低压产品出货，产品主要包括高压GaN FETs，低压（200V及以下）GaN FETs，及GaN IC，分别应用于5G基站、工业互联网、数据中心、新能源汽车、激光雷达、快充等领域。
2021年6月，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举行量产暨研发楼奠基仪式，这标志着全球最大的氮化镓生产基地正式投产。预计到2022年底项目全部达产后，苏州工厂将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，预计年产值150亿元。
作为领先的第三代半导体技术供应商，英诺赛科采用的是IDM全产业链集成制造模式，为客户带来更加高效、高可靠性的解决方案。目前英诺赛科量产的氮化镓功率器件覆盖了30V-650V的电压范围，是全球市场中为数不多的具备氮化镓高压、低压全品类产品线的IDM原厂。
据了解，快充充电器市场中，英诺赛科InnoGaN已经助力了近百家厂商的快充产品量产，如在联想、努比亚、魅族、ANKER、MOMAX、REMAX、ROCK、QCY、羽博、品胜等众多知名品牌的电源产品均有应用，高低压氮化镓器件累计出货量已经突破3000万颗，位列氮化镓器件出货量排名前三，产品性能获得市场一致认可。
此外，英诺赛科已被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，也是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。这也侧面展示了英诺赛科的强大实力。
第三代半导体赛道
今年年初，新华网刊登了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，其中“集成电路”领域，特别提出氮化镓等宽禁带半导体也就是行业人士关注的第三代半导体要取得发展。
十四五规划中提到的氮化镓（GaN）为第三代宽禁带半导体材料，其中氮化镓用于半导体器件中时，具备耐高温、高开关频率、低导通电阻、高效率、化学性质稳定等优异特性，不过受限于制造工艺、应用成本等因素的限制，多年以来氮化镓仅实现小范围应用。
近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现，并正在打开应用市场。自从2018年开始，氮化镓在消费类快充电源领域的应用就已经进入了快车道。未来五年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于激光雷达、5G通信、新能源汽车、特高压、人工智能、数据中心等场景。
由于氮在元素周期表排序第7位，镓排序第31位，业界达成广泛共识，将7月31日定位世界氮化镓日，并获得行业认可。
值得一提的是，在十四五规划中，新能源储能产业被定位为战略性新兴产业。这也标志着新能源储能产业被提到前所未有的地位。而这些利好政策为宁德时代和英诺赛科的合作创造了积极条件。宁德时代是目前新能源的龙头，英诺赛科是第三代半导体行业独角兽，两家涉足的主业都是十四五国家中长期发展的战略布局领域。
功率器件革命
功率器件革命截止目前，总共发生过3次。
第一次功率革命：
1957年，美国出现了第一个晶闸管，这标志着电力电子技术的诞生，正式进入了电力电子技术阶段。第一代电力电子器件就是以晶闸管为代表，主要用于相控电路。这些电路十分广泛地用在电解、电镀、直流电机传动、发电机励磁等整流装置中，与传统的汞弧整流装置相比，不仅体积小、工作可靠，而且取得了十分明显的节能效果，因此电力电子技术的发展也越来越受到人们的重视，已普遍应用于变频调速、开关电源、静止变频等电力电子装置中。
第二次功率革命：
1970年代后期，门极可关断晶闸管GTO、电力双极型晶体管BJT、电力场效应晶体管功率MOSFET为代表的全控型器件迅速发展，第二代电力电子器件应运而生，其工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。
第二代电力电子器件实现了既能被控制导通，也能控制关断的全控型器件，使得各类电力电子变换电路及控制系统开始不断涌现，如直流高频斩波电路、软开关谐振电路、脉宽调制电路等。
1980年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）集合了MOSFET的驱动功率小、开关速度快和BJT通态压降小、载流能力大的优点，成为现代电力电子技术的主要器件；在中低频大功率电源中占重要地位。20世纪90年代，智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。
第三次功率革命：
前两次的功率革命都是以硅（Si）材料为基础的各种电力电子器件，随着硅（Si）材料电力电子器件逐渐接近其理论极限值，利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件，如氮化镓、碳化硅等，显示出比传统功率器件更优异的特性，给电力电子产业的发展带来了新的生机。相对于硅（Si）材料，使用宽禁带半导体材料制造新一代的电力电子器件，可以变得更小、更快和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本，允许设备在更高的温度、电压和频率下工作，使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。
IDM模式优势
这里有必要介绍一下IDM模式的优势。
半导体芯片行业的三种运作模式，分别有IDM、Fabless和Foundry模式。
IDM，是英文Integrated Device Manufacture的缩写，翻译过来是整合器件制造企业。从设计、制造、封装测试到销售，自有品牌提供一条龙服务的半导体垂直整合型公司。
IDM模式好处不言而喻，如设计、制造等环节协同优化，有助于充分发掘技术潜力；能有条件率先实验并推行新的半导体技术，可以很好的把设计与工艺平台整合在一起。
业界大咖普遍认为，因为设计要与工艺完全配合，工艺又要根据设计来优化。从产业角度来看，IDM虽然难度大，但利润比纯代工高。从效率来看，功率半导体器件、模拟芯片、高端数模混合芯片、微制器、数字信号处理器DSP，都是采用IDM模式获得成功的。
回到全球功率器件行业，在此之前，早有先例，业界知名的企业如英飞凌、AOS、意法半导体等也都是采用IDM模式，这也是这些企业长盛不衰的奥秘。
再回到近年来全球半导体供应紧张的话题，众所周知，由于下游需求上升和八寸晶圆代工产能紧缺的双重影响，全球功率器件供应持续紧张。IDM由于处于产业链顶端，能保证产能的持续供应，配合客户做定制化开发，缩短开发周期。
资本市场、投资机构、券商对IDM模式也普遍看好，尤其是半导体芯片货源紧缺的当下，IDM上市公司股价呈现了强劲增长态势。
充电头网总结
近年来，随着中国在领先技术的重视和各项重要规划的不断落实，国内的半导体投资热情被彻底释放。同时，科创板、北交所的设立，为众多中小型科技企业打开了融资的大门。同时，国家公布了一批专精特新小巨人企业，进一步打通了国内的半导体产业链，为半导体国产化创造条件。
宁德时代和英诺赛科加强合作，有望进一步推广氮化镓芯片在新能源领域的广泛应用。除了新能源汽车，还可以推广到快充、光伏、风能等产业上。
相信在众多企业的不懈努力下，第三代半导体惠普全人类的梦想将会早日实现。
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