氮化镓是第三代半导体器件，相比硅器件具有更快的开关速度，更低的开关损耗和更低的导阻。非常适合小体积高功率输出的氮化镓快充应用。
通过将氮化镓技术大规模应用在充电器上，不光可以提高充电器的效率，还可以降低发热，提高开关频率，减小充电器的体积。让充电器变得便携的同时，还节省了能源消耗。
聚能创芯是一家专注GaN产业，聚焦功率器件，致力于为业界提供高性能、低成本的GaN器件产品和解决方案的 GaN IDM公司。
针对30-240W快充应用场景，聚能创芯推出了5款高性价比氮化镓功率器件，均采用小体积贴片封装，耐压为650V，符合JEDEC的标准应用要求，具有极低的Qg，无反向恢复电荷，支持超快的开关速度。相比硅器件显著降低开关损耗和传导损耗，大幅提升快充应用的功率密度。目前聚能创芯已推出30-120W氮化镓PD快充方案，并支持客户定制。
聚能创芯CGK65R400B是一款耐压650V，导阻350mΩ的增强型氮化镓开关管，支持超快开关，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，符合JEDEC的标准级应用认证。
聚能创芯CGK65R400B采用PQFN5*6封装，适用于高压AC/DC转换，可应用在30W功率段反激主功率开关管，120W LLC主功率开关管。
CGK65R190B
聚能创芯CGK65R190B是一款耐压650V，导阻170mΩ的增强型氮化镓开关管，支持超快开关，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，符合JEDEC的标准级应用认证。
聚能创芯CGK65R190B采用PQFN5*6封装，适用于高压AC/DC转换，可应用在65W功率段反激主功率开关管，140W LLC主功率开关管。
聚能创芯CGL65R190B是一款耐压650V，导阻170mΩ的增强型氮化镓开关管，支持超快开关，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，符合JEDEC的标准级应用认证。
聚能创芯CGL65R190B采用PQFN8*8封装，可应用在65-100W功率段反激主功率开关管，100W功率段 PFC主功率开关管，200W功率段 LLC主功率开关管。
聚能创芯CGL65R150B是一款耐压650V，导阻120mΩ的增强型氮化镓开关管，支持超快开关，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，符合JEDEC的标准级应用认证。
聚能创芯CGL65R150B采用PQFN8*8封装，适用于高压AC/DC转换，可用在140W功率段PFC主功率开关管，240W功率段 LLC主功率开关管。
聚能创芯CGL65R070B是一款耐压650V，导阻55mΩ的增强型氮化镓开关管，支持超快开关，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，符合JEDEC的标准级应用认证。
聚能创芯CGL65R070B采用PQFN8*8封装，可应用在240W功率段PFC主功率开关管。
聚能创芯推出的五款氮化镓器件，均属于增强型氮化镓功率器件，可搭配专用的氮化镓控制器使用，支持PFC、反激以及LLC等电路拓扑。可应用于开关电源，功率因数校正，电机驱动，逆变器，UPS等场合。
除了在快充上的应用以外，以上器件还可以应用在相同功率段的智能家电，LED照明，小型工业设备电源等领域，提高转换效率的同时，提升电源的功率密度。
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