尽管说如今的充电器，集成度越来越高，外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出，支持28V及以上的输出电压，更宽的输出电压范围，超出了高耐压的原边控制器的供电范围，同时现有的同步整流控制器，也无法应用在高输出电压下，令工程师的选型很是头疼。
为了应对PD3.1升级输出电压后，宽电压输出导致开关电源初级电压供电范围变动较大的问题，方舟微推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替传统多颗元件组成的供电稳压电路，从而简化电源中对于控制器的供电设计，并优化待机功耗表现。在缺货的大背景下，拓展现有芯片的供电范围，保证产品出货。
成都方舟微电子有限公司（ARK）作为国内领先的模拟功率器件设计公司，成立13年来，专业从事功率半导体器件的研发、设计、生产与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。
方舟微产品大量用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域。拥有华为、三星、LG、西门子、施耐德、伟创力、台湾飞宏、正泰电器、中电集团等大量优质客户。产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户广泛采用。
公司创始人具有二十多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。
ARK产品包括消费类和工业类两条产品线，其中，PD应用的产品系列60V~600V耗尽型MOSFET，以及30V~350V增强型MOSFET已被PI、IWATT、ON、昂宝、康源、立锜、华源智信、硅动力等多家主IC方案商普遍选用，是华为、荣耀、三星、小米、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK等客户的长期供应商。
ARK产品在PD上的应用主要包括：五款耗尽型，五款增强型，三款今年新产品。首先介绍的是方舟微耗尽型MOSFET，目前已推出了五款不同耐压以及导阻的耗尽型NMOS，耐压100到600V，满足从启动电路、恒流输出、线性放大等多种应用场合应用。
方舟微DMZ1015E/DMX1015E是一颗耐压100V的耗尽型NMOS，是原DMZ0615E/DMX0615E的升级版本，采用专有的高级平面技术，具有超高开启阈值电压，使用亚阈值特性，可为负载提供稳定的供电，且输出电压可由内部钳位，无需稳压管，简化电路设计。
图为方舟为耗尽型MOS管的应用示意图，DMZ1015E/DMX1015E提供SOT-23及SOT-89封装，可根据耗散功率灵活选用。
方舟微DMZ1511E是一颗耐压150V的耗尽型NMOS，具有坚固的多晶硅栅单元技术，支持高速开关，可用于浪涌电流抑制，线性放大器、高压稳压输出，恒流源以及保护电路等应用。
方舟微DMZ1521E采用专有的高级平面技术，是一颗耐压150V的耗尽型NMOS，具有高阈值电压，支持快速开关，适用于同步整流IC供电并进行钳位保护。
方舟微DMZ6005E目前总出货量达5亿颗，DMZ6005E是一颗耐压600V的耗尽型NMOS，DMZ6005E采用专有的高级平面技术，具有坚固的多晶硅栅单元，支持快速开关，可用于开关电源启动电路、线性放大及电信应用等场合。
方舟微DMZ6012E是一颗耐压600V的耗尽型NMOS，采用专有的高级平面技术，具有坚固的多晶硅栅单元，支持快速开关，可用于开关电源启动电路、线性放大及电信应用等场合。
下面是方舟微推出的五款增强型NMOS，用于同步整流应用及小信号控制。以下五款产品均在海外生产，品质更高、价格更优、供货更有保证。
方舟微AKC20N30DX是一颗耐压20V的共漏双N沟通增强型NMOS，并自带ESD保护，导阻典型值23mΩ，采用CSP-4封装，可用于高效率DC-DC转换，同步整流，电池保护以及功率路径管理。
方舟微AKF30N5P0SX是一颗耐压30V的增强型NMOS，具有低导阻和低栅极电荷，耐压30V，导阻3.9mΩ，采用PDFN3333封装，可用于高效率DC-DC转换，同步整流，电池保护以及功率路径管理。
方舟微FTF100N5P0GX是一颗耐压100V的增强型NMOS，导阻典型值7.9mΩ，采用 PDFN5X6封装，可用于高效率DC-DC转换，同步整流，电池保护以及功率路径管理。
方舟微FTF100N10GX是一颗耐压100V的增强型NMOS，导阻典型值11mΩ，采用 PDFN5X6封装，可用于高效率DC-DC转换，同步整流，电池保护以及功率路径管理。
方舟微FTZ15N35G是一颗耐压350V的NMOS，采用SOT-23封装，采用私有的高级平面技术，具有坚固的多晶硅栅单元，支持高速开关，可用于信号处理等用途。
应用电路如下：
DME6010D采用SOP-8封装，内部集成了600V的DMZ6005E、100V的DMZ1015E两种耗尽型MOSFET芯片，同时满足PWM IC的启动与供电。应用于PD充电器电路中，使电路布局更加简便，节约BOM空间与成本。
应用电路如下：
DMZ8530E在启动阶段给电源IC供电，启动完成后，电源IC由附加绕组通过DMZ1015E供电，此时，DMZ8530E用于高压开关节点的无损ZVS检测。DMZ8530E是目前国内一款可以用于ZVS检测的MOSFET。
应用电路如下：
DMZ1315E，属于DMZ1015E的升级型号，DMZ1315E的耐压增加到了130V，不仅适用于原DMZ1015E的所有应用方案，还可应用于对电压有更高要求的方案里。
随着快充输出功率的不断提升，相应的电路也愈加复杂。扩展的宽电压输出，对于传统的控制器来说，需要外加一级供电稳压电路，才能满足宽范围电压输出，以及高电压的输出需求。简化的稳压电路，能够很好的减少元件数量，并降低待机功耗。
方舟微推出的一系列耗尽MOSFET，适配绝大多数开关电源控制器供电需求，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，能够简化传统控制器用于高压以及宽电压输出的供电电路设计，降低研发难度的同时，降低整体物料成本。
方舟微推出的20V、30V、100V、350V系列增强型MOSFET，海外生产，品质、价格、供货更具竞争力。
方舟微今年推出更多专为充电产业开发的独家产品的升级换代产品:DME6010D、DMZ8530E、DMZ1315E、FTF100N10GX（含ESD保护升级版）、FTF100N7P5GX（含ESD保护升级版）等，除了快充应用，也包括户外电源、充电桩、新能源汽车的BMS系统的应用。
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