氮化镓开关管自从推出以来，如同MOS管分为耗尽型和增强型两种，氮化镓开关管也是分为两种。耗尽型的氮化镓开关管属于常开结构，需要串联一个低压增强型NMOS管实现常关。通过控制串联的NMOS来实现开关。
而为了使用方便，耗尽型的氮化镓功率器件，通常会将耗尽型的氮化镓开关管与增强型的NMOS封装在一个封装内部，行业内称为Cascode结构，也成为共源共栅型。这种结构的耗尽型氮化镓功率器件，通过控制NMOS来实现器件的开关，驱动兼容传统NMOS控制器，相比增强型氮化镓无需对电路重新设计，即可享受到氮化镓低开关损耗以及低栅极电荷等优势。
Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1300项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。
其中面对快充以及新能源应用，Transphorm推出了一系列耐压650V的氮化镓功率器件，均采用DFN贴片封装，具有小体积，低导阻，低栅极电荷，低开关损耗以及降低的反向恢复电荷。可用于传统硅开关管的氮化镓替换，从而提高转换效率，缩小电源体积，减少散热需求并降低成本。
TP65H070L是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管，耐压650V，瞬态耐压800V，导阻为72mΩ，栅极支持20V耐压，具备极低的反向恢复电荷，并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率，提升系统功率密度，减小系统尺寸及重量，并降低系统成本。
其中TH65H070L分为TP65H070LDG和TP65H070LSG，散热焊盘分别对应漏极和源极，方便大功率应用设计。可用于逆变器，马达驱动等工业应用。
TP65H150G4LSG是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管，耐压650V，瞬态耐压800V，导阻为150mΩ，栅极支持20V耐压，具备极低的反向恢复电荷，并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率，提升系统功率密度，减小系统尺寸及重量，并降低系统成本。适用于快充电源及LED照明等应用。
TP65H300G4LSG是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管，耐压650V，瞬态耐压725V，导阻为240mΩ，栅极支持18V耐压，具备极低的反向恢复电荷，并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率，提升系统功率密度，减小系统尺寸及重量，并降低系统成本。适用于快充电源及LED照明等应用。
TP65H480G4LSG是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管，耐压650V，瞬态耐压800V，导阻为480mΩ，栅极支持18V耐压，具备极低的反向恢复电荷，并减小开关损耗。相比传统硅器件可提升能效及开关频率，提升系统功率密度，减小系统尺寸及重量，并降低系统成本。适用于快充电源及LED照明等应用。
充电头网总结
第三代半导体氮化镓自身具备强大的性能优势，相比广泛应用的硅器件具有更低的开关损耗，支持更高的开关频率，可满足无桥图腾柱PFC等高频电路需求，并将氮化镓的性能优势充分发挥，提高能效同时提升电源系统的功率密度。
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