强弦科技65W氮化镓快充方案采用一块主PCB板和两块副PCB板组合设计而成,从正面来看,元器件的布局十分紧凑,其功率密度达到了1.4W/cm³。输入端采用四颗高压电解电容滤波、变压器居中设置;侧面副PCB板上设置了保险丝、电感等器件;输出端USB-C接口垂直焊接在另外一块PCB板上。
主控PCB板背面右侧设置了两颗整流桥,中间靠下位置为强弦科技的合封氮化镓芯片JP8020B225,左侧设有同步整流控制器和同步整流MOS管;初、次级之间采用镂空绝缘,并设有一颗光耦,用于反馈输出电压。
强弦科技JP8020B225采用8mm x 8mm QFN 封装,芯片内部集成了225mΩ的GaN功率器件,芯片工作频率可以分三个档位,最高可操作在500kHz,集成二次侧过压保护,超低待机功耗低,支持谷底切换操作,以实现高效率,同时具有极少的BOM数量和成本,适用于USB-C快充充电器、手机和平板电脑充电器等产品领域。
据了解,强弦科技这套65W氮化镓快充方案除了合封氮化镓芯片之外,其同步整流芯片搭配的是MPS MP6809A,协议芯片选用了智融SW2303,均为业界主流品牌。性能方面,支持100-240V 50/60Hz输入,并且兼容多种主流快充协议输出,USB PD快充支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A,最大65W;在230V 50Hz输入时,空载功耗小于75mW。
根据强弦科技公开资料显示,JP8020系列芯片一同包含了4个不同信号,分别可应用于35W功率、45W功率、65W功率、100W功率,此外还可用两颗合封氮化镓芯片组合设计,完成100W以上快充电源的设计。
充电头网总结:
近年来,第三代半导体氮化镓技术在快充电源市场中得到广泛应用。截至目前,全球各大知名手机和笔电厂商均已经入局氮化镓快充,第三方氮化镓快充配件品牌更是不计其数。与此同时,氮化镓快充技术也在近几年中取得重大发展,使得器件的集成度、性能、成本均得到优化,进一步加速氮化镓的普及。
强弦科技推出的这套65W氮化镓快充方案,搭载了高度集成的合封氮化镓芯片,借助氮化镓器件的高频、高效特性,优化整个的电源系统的体积,同时在三合一芯片的加持下,简化整套方案的电路设计,并节省BOM成本,整个电源系统的稳定性也得到提升。