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拆解报告:欧陆通100W双USB-C氮化镓充电器
时间:
2022-10-12
作者:
充电头网
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今天拆解的这款充电器出自欧陆通之手,其具备两个USB-C接口,实际通电测试,测得其支持100W输出。充电器采用白色机身,折叠插脚,收纳起来也是十分方便。
e8Lednc
输入采用两颗UMSB40M整流桥,半桥连接均摊发热,规格为4A 1000V。
两颗CBB薄膜电容用于整流输出滤波,规格为0.47μF 400V。
滤波电感缠绕胶带保护绝缘。
侧面一览,右端是PFC升压电感,中间两颗高压滤波电解电容焊接在小板上,顶部套有塑料壳绝缘。
PFC升压控制器为昂宝OB6566,运行在临界模式,用于功率因数校正。OB6566无需辅助线圈,支持逐周期电流限制,支持高精度可调节输出过电压保护等多种保护模式,无音频噪声运行。
PFC升压电感严密缠绕胶带绝缘,采用RM8磁芯。
在电容小板上焊接PFC开关管和PFC整流管。
PFC升压开关管采用东微OSG65R125JF,是一颗耐压700V的NMOS,导阻为125mΩ,采用PDFN8*8封装。
PFC整流管来自瑞能,型号BYV29D-600P,超快恢复二极管,耐压600V,正向电流9A,采用TO252封装。
两颗高压滤波电容来自Suscon冠坤,规格均为47μF 420V。
OB2736是昂宝推出的一款高频QR控制器,芯片内部集成氮化镓驱动器,具有精确的驱动电压钳位。最高工作频率可达225KHz,内部集成高压启动和X电容放电,具备自适应环路补偿以及扩展的吐噶模式控制,可提高转换效率,并降低待机功耗。
初级开关管采用英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片,额定耐压为650V,峰值耐压750V,导阻低至0.2Ω,符合JEDEC标准的工业应用要求,支持ESD保护,支持开尔文源极。最高工作温度150℃。
INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好,且导通电阻小,适合高频高效的开关电源应用,采用DFN8*8封装,具备超低热阻,散热性能好,适合高功率密度的开关电源应用。
值得一提的是,INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺,是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件,这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
英诺赛科 INN650D02 详细资料。
充电头网拆解了解到,该氮化镓开关管还被
品胜65W 2C1A氮化镓快充
、
红魔手机6 Pro标配120W PD氮化镓快充
、
尚巡120W氮化镓适配器
、
REMAX 100W氮化镓充电器
、
摩米士100W 2A2C氮化镓快充
、
努比亚65W USB PD氘锋氮化镓快充
、
飞频65W PD氮化镓充电器
、
魅族65W氮化镓充电器
、
Lapo 65W PD氮化镓快充充电器
、
ROCK 65W 2C1A氮化镓快充
等多款产品采用,芯片质量获得市场认可。
为主控芯片供电的电解电容来自SAMXON万裕科技,规格为22μF 100V。
变压器特写,次级采用多层绝缘线绕制。
两颗CT1018光耦分别用于PFC控制和输出电压反馈功能。
四颗贴片Y电容来自禾伸堂,两串两并,串联提升安全性。
另外两颗贴片Y电容特写。
同步整流芯片来自东科,型号为DK5V100R05M,采用SM-10封装, 只有A、K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,可取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。
文章来源及版权属于充电头网,EDN电子技术设计仅作转载分享,对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如有疑问,请联系
Demi.xia@aspencore.com
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