东微半导体财报十大亮点解析-EDN 电子技术设计

 东微半导采取Fabless经营模式，晶圆制造和封装测试均委外，产品主要以MOSFET为主，在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET以及IGBT产品领域均有布局。

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前言

苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导”）成立于2008年，主要从事半导体芯片和功率器件的研发、设计和销售，于2022年2月10日登陆科创板，上市前获得聚源聚芯、哈勃投资、中小企业发展基金等来自国家集成电路基金、华为、苏州工业园区的融资。

东微半导采取Fabless经营模式，晶圆制造和封装测试均委外，产品主要以MOSFET为主，在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET以及IGBT产品领域均有布局。

其中，应用于充电桩、5G基站领域的高压超级结MOSFET，其中国的市场被国外厂商占据较大份额，东微半导在此领域就国产化实现了突破。目前已经积累了如英飞源、英可瑞、华为、维谛技术、高斯宝、金升阳等全球知名客户。

除了亮眼的高压超级结 MOSFET产品之外，东微半导还有哪些过人之处？充电头网通过查阅东微半导财报和招股书，提取了十大亮点进行分析，帮助大家更好地了解企业的竞争力。

产品线布局

东微半导的的主要产品包括高压超级结MOSFET的GreenMOS系列、中低压屏蔽栅MOSFET的SFGMOS系列和FSMOS 系列、以及IGBT的TGBT系列产品。

以上产品广泛应用于工业级应用领域，如新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和供应照明电源；同时还应用于消费电子应用领域，如PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等。

高压超级结MOSFET（GreenMOS 系列）

东微半导的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，超级结MOSFET拥有极低的 FOM 值，从而拥有极低的开关能量损耗和驱动能量损耗。

相比于平面MOSFET，深槽超级结MOSFET具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势，进一步提高系统效率、降低发热量，更优的产品性能使其适用于高性能大功率的工业级应用。

中低压屏蔽栅MOSFET（SFGMOS、FSMOS 系列）

东微半导中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS产品系列。

其中，东微半导的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。中低压功率器件产品涵盖 25V-150V 工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。

东微半导的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。

超级硅MOSFET

东微半导的超级硅MOSFET产品是自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基 MOSFET 产品。

超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平，适用于各种高密度高效率电源，包括直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV 电源板等。

IGBT（Tri-gate结构IGBT器件）

东微半导的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，已有产品的工作电压范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-120A。

东微半导的IGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS 电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。

营收与利润

随主营产品下游应用领域需求增大、半导体器件领域景气程度向好，2021年东微半导实现较高的营收和利润增长。

2021年，东微半导实现营收7.82亿元，同比增长153.28%，净利润实现1.47亿元，同比增长430.66%。

从毛利率上看，2021年东微半导综合毛利率攀升至历史最高位，为28.72%。

主营业务收入

东微半导的主营业务按产品可分为高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET以及IGBT。其中，超级硅系列 MOSFET 产品已经研发成功并实现量产出货，Tri-gate IGBT产品首次量产出货。

2021年，东微半导高压超级结 MOSFET 产品全年实现营业收入56,856.56万元，较2020年同期增长128.27%；

中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入20,569.47万元，较2020年同期增长246.85%；

超级硅MOSFET产品全年实现营业收入214.99万元，较2020年同期增长432.63%。

主营业务销量

得益于下游应用的需求增长，东微半导的产品销量实现可观的增长态势，生产规模逐步扩大、产能不断提高。从整体来看，主要产品高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET的产销率较高，均超过90%。

值得注意的是，东微半导根据需求也向客户销售晶圆形态的产品，但超级硅MOSFET产品和TGBT产品不存在销售晶圆的情况，历年各期整体晶圆形态的产品销售占比较小。

从历年的销量数据来看，告期各年度功率器件成品形态高压超级结MOSFET的销售收入占高压超级结MOSFET销售总收入的比例均超过85%，销售单价基本稳定。

受益于消费电子等产品的快速发展、产品更新换代周期短，新技术的不断推出以及设备不断向小型化发展等因素，中低压MOSFET 的市场需求有所提升，仅2021年1-6月中低压MOSFET销量为7417.13万颗，单价来到3.06元/颗。

此外，2021年东微半导的超级硅系列MOSFET产品已经研发成功并实现量产出货，实现了比传统超级结更高的效率，获得了众多客户的认可，销量稳步上升。

同时，TGBT产品实现量产销售，2021年销量为72.43万颗，产销率为55.73%，产销率较低主要系产品初步实现量产，目前仍在不断拓展销售渠道。

地区营收

东微半导以境内销售为主，2021年境内销售实现7.49亿元。

从历年的数据看，东微半导的境外销售占比有所下降，2018年至2020年境内销售占主营业务收入为87.59%、91.62%和89.55%，主要系短期内MOSFET市场供不应求的背景下，产品优先满足国内重点客户的采购需求所致。

2021年，东微半导的境内销售占总营收的95.78%，境外销售占总营收的4.22%。

研发投入

东微半导的研发投入随着其营收的增长逐步加大。

2021年，东微半导投入研发费用4143万元，较上年同期增长159.07%。同时，因较快的营收增长致2021年研发费用占当期营收比例较往年有所下滑，2021年研发费用仅占当期营收的5.30%。

此外，东微半导的员工数量随着主营业务的发展在逐步扩张，2021年拥有员工75人，其中研发人员33人，占到员工总人数的44%。

专利数量

目前，东微半导基于12英寸先进工艺制程的高压超级结MOSFET技术实现大规模稳定量产，基于12英寸制程的下一代超级结MOSFET技术、IGBT技术正在进行研发。

同时，东微半导还在积极布局第三代功率半导体器件如SiC MOSFET相关器件，正在申请多项第三代半导体相关专利。

现在，东微半导累计拥有发明专利38项，1项实用新型专利，获得境外专利26项。

前五大客户

东微半导采用“经销加直销”的销售模式，经销收入占比相对较高，为63.89% 。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，公司将产品送至客户指定地点。

2021年，东微半导前五名客户销售额 22,628.41 万元，占年度销售总额 28.93%；其中前五名客户销售额中关联方销售额 5,311.16 万元，占年度销售总额 6.79%。从具体销售数额来看，第一大客户销售额为7712.3万元。

从销售占比来看，客户一的销售占比为9.86%，关联方客户二的销售占比为6.79%。

前五大供应商

因采取Fabless的经营模式，东微半导主要向外采购晶圆与封装测试。

2021年，东微半导前五名供应商采购额 57,689.96 万元，占年度采购总额 97.60%，无关联采购方，向供应商一采购的金额为4.25亿元。

从采购金额占比来看，供应商采购较为集中，供应商一的采购占采购总额的71.89%。

不过，从招股书透露的数据看，东微半导主要向华宏半导体采购晶圆、向天水华天采购封测服务。

募资项目

东微半导2022年IPO募集资金主要用于补充流动资金，其余则继续开发超级结和屏蔽栅MOS等功率器件。

从项目具体用途来看，超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目和新结构功率器件研发及产业化项目的募资资金主要用于试产、试制。

核心股东

在登陆科创板前，东微半导已获得国有资本以及华为资本的融资。

创始人王鹏飞和龚轶均出身于英飞凌的工程师，拥有20多年的相关工作经验，两人为东微半导的共同实际控制人。

未来展望

2022年，东微半导继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，实现市场的均衡化与多元化；持续开发更多新技术，以产品性能为第一竞争力，迅速提升超级结 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 及TGBT 的销售额，实现产品的多元化。

此外，东微半导将加大宽禁带半导体功率器件与超级硅功率器件的研发力度，形成一系列宽禁带半导体功率器件产品，使宽禁带半导体功率器件产品与硅基超级硅器件互为补充，实现更强的市场竞争力。

充电头网总结

作为国产超级结MOS的龙头，东微半导的压超级结MOSFET产品技术和规模领先，中低压产品料号丰富，可与海外一线厂商对标，自足创新的TGBT产品形成差异化竞争，已实现产业化，有着良好的长远发展趋势。

未来，东微半导将继续掘金新能源汽车和光伏市场，并积极布局第三代半导体，提升综合实力，长期发展值得期待。

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责编：Ricardo

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