模块一侧可以看到工字电感以及另外四颗黑色高压滤波电解电容。
两颗黑色高压滤波电解电容来自TOPAZCON黄宝石，规格都是400V 22μF。
另外两颗也是来自黄宝石，规格也是400V 22μF。
另一侧设有主控芯片供电电容、初级开关管以及变压器。
主控芯片供电电容来自黄宝石，规格为100V 4.7μF。
初级主控芯片采用茂睿芯MK2697G，是一颗采用SOT23-6极小封装的高频QR AC-DC PWM控制芯片，Vcc耐压110V，支持9-90V Vcc供电，无需外部稳压电路，减小布板空间，使用更灵活。采用专利驱动技术，支持直驱增强型GaN功率器件，同时优化SR Vds应力，有效提高了产品效率及功率密度。
茂睿芯MK2697G具有自适应多模式特性，满足PD快充不同输出电压下的能效要求，200KHz工作频率可以充分利用氮化镓开关管优势，提高效率并减小适配器体积。
茂睿芯MK2697G具有输出过压、过功率、VCC过压、输入过压保护、同步整流管短路保护等保护功能，适用于USB PD充电器和高功率密度电源应用。
初级开关管采用能华 CE65H160TOAI 氮化镓器件，这颗Cascode型CoreGaN器件采用能华耗尽型工艺技术，耐压650V，瞬态耐压900V，导通内阻160mOhm，极低的门极电荷，使得器件的开关速度快，损耗低，可以大大提高系统能效。
另外其驱动电压范围±20V，大大提高了系统可靠性，并且和传统的Si MOSFET驱动兼容；这颗器件采用 TO-220 封装，成本低，热容大而且热阻小，这种封装可以拓展器件的功率应用范围，有很强的散热能力和耐热冲击能力，使系统具有更高的热可靠性。
江苏能华微电子科技发展有限公司创办于2010年，是一家专业设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表化合物半导体高性能晶圆、器件的高新技术企业。公司核心技术团队由海外归国人才带领，成员包括从外延生长、器件设计、工艺制程到封装测试各环节的专家。
目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。公司产品技术参数在行业中处于领先地位，各类产品已实现规模化生产，并拥有一批国内外知名客户。
两颗贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TMY1681M。
特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售，注册资本1亿元。旗下有自主电容品牌两类：SMD TRX及DIP TY电容器，TRX将致力于陶瓷材料的研究，以拓展更多品类的应用，为客户提供更多的解决方案。
输出端一览，USB-C母座焊接在协议小板上，右侧是输出滤波固态电容以及输出滤波电解电容。
同步整流管采用力宏微LH062N100，是一颗耐压100V的NMOS，导阻6.2mΩ，采用DFN5*6封装。
输出滤波固态电容特写，规格为25V 1000μF。
另一颗输出滤波电解电容规格也是25V 1000μF。
协议芯片以及输出VBUS开关管焊接在输出端小板上，协议芯片丝印CV653，可以看出是一微的协议IC。
输出VBUS开关管来自力宏微，型号LH30N03，是一颗耐压30V的NMOS，导阻9mΩ，采用DFN3*3封装。
能华推出的高可靠性65W氮化镓笔电适配器方案十分简洁，卡扣散热设计方案加上低热阻封装TO220的能华CoreGaN产品方案，可以大大提高笔电适配器的热可靠性；系统设计特点便于规模化生产，可节约系统成本为产品带来有竞争性的优势。8Bhednc
系统使用的能华 CE65H160TOAI CoreGaN器件采用Cascode结构设计，极低的门极电荷帮助提升系统效率，宽范围的驱动电压帮助提升系统的可靠性，同时器件优秀的兼容性对于客户来说，能够帮助灵活选择不同方案。8Bhednc
值得一提的是，能华除了在市场上已经推出了耗尽型氮化镓器件外，能华旗下还推出了CE65E300DNYI等增强型氮化镓器件，有TO-220、PDFN（5*6、8*8）封装可选并实现稳定供货，充分满足不同客户的选购需求。8Bhednc
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责编：Ricardo
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