那些与空穴结合的少数电子必须从基极排出,才能保持其p型性质,并承载通过它的强电流。移除“被俘获”的电子是通过流出基极的相对较小的电流来实现的。涓涓细流使更强的电流流入集电极。因此,实际上,小基极电流控制着高功率集电极电路。电场开始发挥作用,但它们不会调节电流,而早期的理论家认为,这种器件要发挥作用,就必须调节电流。其中的要点是:耗尽区跨越了双极结型晶体管的两个p-n结,电子和空穴在耗尽区结合,且那里的移动电荷载流子相对较少。施加给结的电压会在每个结处形成电场,将电荷推过这些区域。这些电场会让电子从发射极一直流过基极,进入集电极。在双极结型晶体管中,“外加电场会影响载流子密度,但因为这种影响是指数级的,所以只需要一点点就可以产生大量的扩散电流。”哥伦比亚大学电气工程系主任扬尼斯•“约翰”•基米西斯(Ioannis“John”Kymissis)解释道。双极结型晶体管比点接触式晶体管更加坚固和可靠,正是这些特性铸就了它的伟大,但还需要一段时间才能证明。从20世纪60年代初首次出现,到20世纪70年代末被金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代,双极结型晶体管一直被用于制造集成电路。事实上,正是这些场效应晶体管(首先是结型场效应晶体管,然后是MOSFET)最终实现了几十年来基于场效应运行的三端半导体器件梦想,而这正是肖克利最初的构想。20世纪50年代初,人们很难想象会有这样辉煌的未来,当时美国电话电报公司等正在努力寻找有效且实用的方法来制造新的双极结型晶体管。肖克利本人继续投入到硅研究领域。他搬到了帕洛阿尔托,并于1956年创立了一家公司,引领了电子半导体从锗到硅的转变,促成了硅谷的兴起。其公司的员工后来创立了仙童半导体公司,然后是英特尔公司。晚年时,他因管理不善失去了公司,成为了斯坦福大学的一名教授,并开始传播关于种族、遗传和智力的毫无根据的疯狂理论。1951年,巴丁离开贝尔实验室,成为了伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的一名教授,并在该校因超导理论第二次获得诺贝尔物理学奖。(他是唯一两次获得诺贝尔物理学奖的人。)布拉顿一直在贝尔实验室工作到1967年,之后他加入了位于华盛顿州瓦拉瓦拉的惠特曼学院。1989年肖克利去世,那时的他已经是一个无依无靠的孤家寡人。但是他的晶体管一直改变着世界,虽然直到1953年人们仍不清楚双极结型晶体管是否会成为未来。在当年的一次采访中,10年后帮助建立了IEEE的唐纳德•G.芬克(Donald G. Fink)沉思道:“它到底是一个尚处成长期,现在虽略显笨拙,但未来充满活力与希望的新事物,还是已经成熟,却衰弱无力,令人失望的末路者呢?”显然它是前者,我们所有人的生活都因为它而变得更加美好了。