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CEA-Leti的硅光平台
时间:
2025-03-17
作者:
光学小豆芽
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CEA-Leti的硅光平台采用310nm厚的顶硅,Box层的厚度为800nm,与ST的叠层尺寸有点类似。其硅波导刻蚀分为三步,对应硅波导的高度分别为65nm、165nm和300nm···
接
着上篇笔记对ST硅光平台的介绍,这篇笔记介绍另一家欧洲硅光平台CEA-Leti,方便大家参考。
CEA-Leti的硅光平台采用
310nm
厚的顶硅,Box层的厚度为
800nm
,与ST的叠层尺寸有点类似。其硅波导刻蚀分为三步,对应硅波导的高度分别为65nm、165nm和300nm,如下图所示。
(图片来自文献1)
为了降低硅波导侧壁粗糙度带来的损耗,Leti采用了H2氛围中800度退火2分钟的工艺,侧壁的LER粗糙度小于1nm,大大降低硅波导的传输损耗,如下图所示,O波段的单模条形波导损耗可降低到
1dB/cm
,脊形波导的损耗可降低到
0.1dB/cm
。
Leti在其12寸硅光平台中使用了浸没式光刻技术,CD可以降低到40nm,并且使用了OPC技术。
(图片来自文献2)
Leti的硅光平台中包含一层氮化硅,其厚度为
600nm
,与硅层的距离为
200nm
。氮化硅的波导损耗为0.6dB/cm,SiN-Si的光栅耦合器1dB带宽达到50nm, 边缘耦合器的耦合损耗为2.4dB,基于echelle grating的Mux插损为2.5dB,串扰小于-30dB,如下图所示。
(图片来自文献2)
TWMZM的VpiL为1.5dB/cm,传输损耗为0.7dB/mm, 6dB带宽为25GHz。PD的暗电流为20nA@-2V, 响应度为0.7A/W, 3dB带宽为35GHz。有源器件的性能中规中矩。
除了传统的硅光器件加工能力外,Leti的平台也开发了
III-V异质集成工艺
,包括III-V材料的wafer bonding与die-bonding,从而实现激光器、EAM和SOA等器件的异质集成。在研发过程中,Leti进一步提出了在SOI背面异质集成III-V材料的方案,用于解决正面集成工艺中BEOL与SiN工艺冲突的问题,如下图所示。
(图片来自文献2)
除了III-V材料外,Leti也与多家公司合作,积极探索其它光电材料的异质集成,包括BTO、TFLN与SOH等,如下图所示。
Leti平台的另外一个特色为
TSV-middle工艺
,其加工流程如下图所示。首先在SOI晶圆中完成FEOL工艺,包括波导的刻蚀、掺杂、Ge外延、热电极与contact。接着开始TSV的加工,包括硅的刻蚀与金属填充。TSV的尺寸为
12um*100um
。TSV完成后,继续BEOL工艺与u-pillar的加工。正面加工完成后,将wafer临时bonding到silicon wafer上进行背面的加工,包括晶圆减薄、露铜(Cu nail revealing)、backside RDL的加工、cavity的加工、bump的加工等步骤。其中在微环附近加工出cavity, 用于提高其热调效率,降低功耗。
(图片来自文献1)
商务方面,Leti采取投资与扶持创业公司的形式,期望将其技术较早地应用在产品中,其与SteerLight、Scintil Photonics等公司有紧密的合作。SteerLight为一家法国公司,致力于开发基于硅光的LiDAR技术。Scintil Photonics也是一家法国公司,致力于开发多波长光源、高速光互联芯片等。
以上是对Leti硅光平台的简单介绍,Leti硅光技术的开发已经持续20多年,技术积累还是比较深厚的。除了传统硅光工艺在200mm/300mm平台上的优化外,Leti还实现了III-V材料在正面/背面的异质集成、TSV-middle工艺的开发。整体上Leti平台还是偏研究性质,参与欧盟的一些研究项目,
探索硅光技术在LiDAR、传感、光计算、量子等方面的应用,小豆芽没有搜索到其与大公司合作的新闻,这可能也与其自身定位相关。
参考文献:
1. D. Saint-Patrice, "Process Integration of Photonic Interposer for Chiplet-based 3D Systems", ECTC 2023
2. Q.
Wilmart, "
LETI VERSATILE SILICON PHOTONICS PLATFORM"
责编:Ricardo
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