宜普电源参与业界研讨会展示氮化镓技术的最新发展

宜普电源转换公司专家于亚太区业界功率研讨会展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送应用的效率达20%。 宜普公司专家将于三个业界技术研讨会演讲：第十三届慕尼黑上海电子展 - 国际电力电子创新论坛、IIC电子工程盛会 - 2014年春季论坛及台湾宽能隙电力电子研发联盟举办的宽能隙电力电子国际研讨会。 硅基增强型功率氮化镓(eGaN)功率晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于亚太区业界技术研讨会进行三场技术演讲。 于3月18日在中国上海举行的两场业界研讨会中，宜普公司技术专家将与您分享更高效的氮化镓（GaN）功率器件如何替代陈旧的硅MOSFET器件，并如何在无线电源传送（WiPo）应用取得更高性能。多个提高性能的范例包括在一个全新功率转换设计中提高效率达20%，及另一个设计在6.78 MHz的ISM频带下工作并使用松散耦合线圈，可传送高达30W功率。 于4月10日宜普公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士将于宽能隙电力电子国际研讨会演讲，议题为“利用氮化镓击败硅技术”。Lidow希望藉着这个促进技术合作和知识交流的机会与工程师分享全新应用、目前市场上最新的产品资讯、氮化镓技术未来发展的路线图及氮化镓与功率MOSFET、碳化硅器件的相对竞争力的比较。 宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士称"这三场业界研讨会提供一个可与功率系统设计工程师会面的机会并分享氮化镓技术的优势，以及如何采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）提高他们设计的功率系统的性能及效率。" 宜普公司参加的业界研讨会总览： 1）第十三届慕尼黑上海电子展 - 国际电力电子创新论坛 日期 ：3月18日 议题 : 采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的无线电源传送解决方案 演讲者 ：宜普公司应用工程行政总监Michael De Rooij博士、亚太区FAE总监郑正一 详情请访问http://epc-co.com/epc/cn/项目及最新消息/项目及活动.aspx 及国际电力电子创新论坛 2）IIC电子工程盛会 - 2014年春季论坛“电源管理与功率半导体论坛″ 日期 ：3月18日 议题 : 采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的无线电源传送解决方案 演讲者 ：宜普公司应用工程行政总监Michael De Rooij博士、亚太区FAE总监郑正一 详情请访问 www.epc-co.com.cn 及电源管理与功率半导体论坛 3）宽能隙电力电子研发联盟 - 宽能隙电力电子国际研讨会 日期 ：4月10日 议题 : 利用氮化镓击败硅技术 演讲者 ：宜普公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士 详情请访问www.epc-co.com.tw 及 http://wpec.org.tw/Industry/。 宜普电源转换公司将在2014年APEC研讨会分享支持高频谐振转换器及包络跟踪供电的氮化镓（GaN）技术 于2014年IEEE的 APEC功率电力电子业界研讨会中，宜普电源转换公司的应用技术专家将分享氮化镓场效应晶体管技术如何于应用中比硅功率MOSFET器件优胜。 硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于2014年APEC技术研讨会以应用为主题进行三场技术演讲，与参与者分享高频谐振转换器及高频、硬开关功率转换器设计。研讨会将于3月16日至20日在德克萨斯州的Fort Worth举行。 首屈一指的APEC研讨会以功率电子业务的实用及应用方面为主题，深受功率电子业界专业人员爱戴，讨论的范围涵盖使用、设计、制造及推广所有种类的功率电子元件及设备，详情请访问http://www.apec-conf.org/。 宜普电源转换公司共同创办人及首席执行官Alex Lidow博士称"我们非常荣幸得到APEC2014年技术复核委员会选出EPC专家的技术文章，于APEC的年度研讨会发表，这是支持我们相信功率系统工程师对高性能氮化镓技术感到兴趣并获得他们的赞同。" EPC专家以GaN FET技术为题的演讲： – “Evaluation of Gallium Nitride Transistors in High Frequency Resonant and Soft-Switching DC-DC Converters” 演讲者 : David Reusch博士及Johan Strydom博士 日期及时间 : 3月19日星期三 上午8:30 至10:00, TO9-Wide Bandgap Devices in DC-DC Converters – “GaN: Raising the Bar for Power Conversion Performance” 演讲者 : David Reusch博士 日期及时间：3月20日星期四上午8:30 至11:30, IS2-4-3, Wide Band Gap Devices – “Design and Evaluation of a 10 MHz Gallium Nitride Based 42 V DC-DC Converter” 演讲者 : Johan Strydom及David Reusch博士 日期及时间：3月20日星期四下午2:00至 5:30, T30-Semiconductor Devices, Track: Devices and Components 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载