电子元器件的发展，芯片的设计研发，对于整机的性能至关重要，相信很多人像我一样关心半导体业界的动态，那就让我看一下最近有哪些新的芯片将在未来被大家熟知。
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瑞芯微向全球发布新一代笔记本处理器RK3288-C
美国太平洋时间2015年3月31日10点15分，瑞芯微向全球发布新一代笔记本处理器RK3288-C,并同时发布了谷歌及华硕、海尔、海信合作的一系列内置瑞芯微芯片处理器的Chrome OS终端产品。至此，中国芯首次入主全球PC市场。
此次搭载瑞芯微RK3288-C笔记本处理器的六款Chrome OS新一代产品，除了常规笔记本形态外，还包括全球首款可360°翻转的笔记本和全球第一款“棒棒”形态的Chrome OS终端：
五款新型Chromebook笔记本包括: 华硕Chromebook C021，海尔Chromebook 11和11E，海信Chromebook C11，以及全球首款10英寸可翻转Chromebook—华硕 Chromebook Flip。
一款超新形态设备Chromebit——比U盘体积还小，可以将任何屏幕转变为电脑的全计算机设备。
这些内置谷歌Chrome OS系统的终端产品搭载了瑞芯微最新RK3288-C芯片处理器。RK3288-C主频高达1.8GHz，采用四核ARM Cortex-A17架构，GPU采用四核Mali-T760。多媒体能力与图像性能极为出众，并且全球领先支持VP8硬件编码与解码。
采用了RockchipRK3288-C芯片的Chrome OS产品性价比极高，得益于Chrome OS的操作系统自身优势和芯片的强大性能，最新一代终端产品拥有以下三大特色：速度快，操作简单，更加安全。RK3288-C在注重性能提升的同时实现了相当优秀的功耗比，新一代的Chrome终端设备的电池续航能力很强，如华硕最新Chromebook C201，使用时间可高达13小时。
RK3288-C拥有以下主要优势：
更强的CPU性能——RK3288-C采用四核ARM 高阶Cortex-A17架构，在Peacekeeper测试中，跑分成绩高达1500分，比同类产品提升了25%。在Robohornet测试中跑分为12.1，比与同类产品提升30%，从而让终端产品的网页浏览速度大大提升。
更优的GPU图像性能——RK3288-C采用了最高规格的Mali-T764 GPU，使得全新一代Chromebook的WebGL FishTank 跑分成绩，领先市售Chromebook高达25%，在游戏方面的更体验更为顺畅。
更流畅的视频体验——RK3288-C支持VP8硬件编码/解码，可让用户在如优酷土豆，腾讯视频及YouTube等国内外网站上观看网络视频时获得更佳体验。
更低的功耗——全新一代Chromebook的RK3288-C处理器采用包括“DDR变频调节技术”在内的多个电源管理与优化技术，在运行多任务时功耗可节省10%~15%。RK3288-C处理器可让整机功耗达到低于2.9瓦/时，相对于其他方案的Chromebook降低了45%。
更高的集成度与稳定性——RK3288-C是高度集成的芯片，电路板器件数量比同类竞争产品少35%，节省高达20%电路板面积。 谷歌Chrome操作系统副总裁Caesar Sengupta表示，“Chromebook的设计理念是为大众提供更加快速，简单，安全，也更易负担的计算机体验。 Chromebook使用率在快速提高，瑞芯微RK3288-C处理器与谷歌合作的新一代Chrome系统产品能够为消费者提供质量更好，功耗更低并且性能更高的产品体验，从而促使Chrome操作系统的终端产品更快得到普及。”
瑞芯微首席市场官陈锋表示：“瑞芯微与Google关系深厚，双方在Android平板电脑与智能型手机合作多年。 我们一直与谷歌在前沿项目上进行合作，例如Project ARA模组化手机。RK3288-C在Chromebook中表现的很出色，我们从这些新设备上也看到了巨大的潜力。”
《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 {pagination} 韩国科学技术学院研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体 来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的团队研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体。他们用汽化单体在多种表面成功制备出聚合膜，比如塑料，这些普适的绝缘体为将来在电子设备上的应用打下了基础。这项研究结果在线发表于3月9日的《自然·材料》（Nature Materials）杂志上。 我们日常生活使用的现代电子设备中，从手机、电脑到平板显示器，场效应晶体管无处不在。除了三个电极（栅极（gate），源极（source）和漏极 （drain））外，场效应管还包括一个绝缘层和一个半导体沟道层组成。场效应管内的绝缘层能有效控制半导体沟道的导电率，从而控制晶体管内的电流。为了 使场效应管低功率稳定运行，应用超薄的绝缘层十分重要。因为氧化物和氮化物等无机材料具有卓越的绝缘性和可靠性，绝缘层通常是由此类无机材料在硅和玻璃等 硬质表面制成。 然而，由于这些绝缘层的高硬度和高制备过程温度，它们很难用于柔性电子设备。近年来，大量科研人员把聚合物作为前景乐观的绝缘材料去研究，以适用柔性非传 统基底和新兴的半导体材料。然而，传统技术制备的聚合物绝缘体在极小厚度的表面覆盖仍不足，阻碍了应用聚合物绝缘体的场效应管在低电压状态下运行。 一个由韩国科学技术院（KAIST）生化工程系的Sung Gap教授和电子工程系的Seunghyup Yoo、Byung Jin Cho教授领导的研究团队研发出了一种有机聚合物组成的绝缘层“pV3D3”。此绝缘层是利用名为“化学气相沉降（iCVD）”的全干气相技术制成，可使 它在不失去完美绝缘特性的情况下，厚度足以缩小到10纳米（nm）之内。 iCVD过程是让气状单体和引发剂在低真空中相互接触，最终沉积在基底上的共形聚合膜具有良好的绝缘性能。iCVD与传统技术不一样的是，十分均匀且纯净 的超薄聚合膜在一大片实际上没有表层或底层限制的区域生成，与表面张力有关的问题便得以解决。并且大部分iCVD聚合物在室温下生成，减少了对基底施加的 张力和产生的损害。 科研团队通过使用pV3D3绝缘层，研发出了利用多种半导体材料如有机物、石墨烯和氧化物的低功率、高性能的场效应管，证明了pV3D3对多种材料的广泛 适用性。他们还用常规的包装胶带作为基底，制造出了一种粘贴性的、可移除的电子元件。在与韩国东国大学（Dongguk University）的Yong-Young Noh教授的合作中，科研团队成功地结合pV3D3绝缘层在一个大规模的柔性底层上开发出了一种晶体管阵列。 Im教授说：“用iCVD技术制得的pV3D3所具有的小尺寸和广泛适用性对聚合绝缘体来说是史无前例的。即使我们的iCVD pV3D3聚合膜的厚度减小到10纳米之内，它展现出的绝缘性仍比得上无机绝缘层。我们期待这项进展能极大地有益于柔性电子器件的研发，这将会对可穿戴计 算机等新兴电子设备的成功起到关键作用。” 总结：研究人员研发了一种用于场效应晶体管（field-effect transistors，FETs）的高性能超薄聚合绝缘体。他们用汽化单体在多种表面成功制备出聚合膜，比如塑料，这些普适的绝缘体为将来在电子设备上的应用打下了基础。
《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 {pagination} 英特尔将推出的六十核心Knights Landing至强Phi芯片 英特尔公司近日发布了一系列消息，媒体及分析人士开始对其即将推出的六十核心Knights Landing至强Phi芯片进行了概括性的解读，这是一次管中窥豹式的探索过程。英特尔公司在其位于俄勒冈州希尔斯伯勒市的代工厂召开了新闻发布会，并向到场记者宣称Knights Landing Phi可以承载八十亿个晶体管。
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《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 {pagination} 英特尔将联合美光科技开发1TB闪存技术 英特尔将联合美光科技公司开发适用于智能手机、平板电脑和高端笔记本电脑的闪存技术。新的技术将利用笔记本内存条一半大小的体积提供1TB的存储空间。 越来越多的应用程序、照片、视频和音乐使得智能手机和平板电脑的存储空间显得越来越局促。笔记本用户可以使用硬盘驱动器，价格低廉但速度缓慢。而基于闪存原理的固态硬盘速度快但价格昂贵。 美光与英特尔希望能够利用基于3D堆叠技术的芯片生产廉价、快速的闪存。新的芯片理论上将可以用来生产小体积的3.5TB闪存。英特尔表示，如今的高端笔记本电脑可以提供1TB固态硬盘，但非常昂贵，更廉价的芯片可以帮助低端个人电脑使用快速闪存。 3D堆叠技术并不是最新技术，三星去年推出的闪存新天就采用了类似的技术。3D堆叠将是维持摩尔定律的重要途径。如同盖楼一样，传统闪存芯片就像不断建设一层的平房，而新的3D堆叠技术则不仅在平面发展同时将楼越盖越高。更有效的利用空间。另外存储单元的距离拉近，也可增加速度。英特尔和美光科技公司将采用32层闪存堆叠技术。两家公司将在周四提供首批样品，英特尔与美光预计今年晚些时候推出最终产品。 目前的闪存市场份额中三星排名第一，持有28％的市场份额。美光科技公司拥有14％，而英特尔只占有8％。
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一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体
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