第五届上海FD-SOI论坛9月26日在上海召开，本届论坛是规模最大、重量级嘉宾最多、形势最鼓舞人心、午餐最好吃的一届。
在论坛上，各位嘉宾在谈及与竞争对手/工艺的性能对比也没有遮遮掩掩，EDN很轻松的得到了竞争对手之间的性能互怼参数、竞争工艺互怼参数、成本互怼表格等数据，分享给大家。
直接亮出性能比是今年电子行业展示自己最流行的方式，非常有诚意。格芯首席执行官Sanjay Jha在自己的演讲中直接给出了22nm FD-SOI和TSMC与英特尔的各项性能对比。
值得一提的是，参与对比的22FDX技术已就位，而英特尔22FFL和台积电22ULP分别还需要1-2个季度才能投产。
只性能对比是不够的，IBS首席执行官Handel H.Jones给出了不同工艺下的每栅极成本对比。
另外，考虑到成熟工艺包含的设备折旧费以及FD-SOI硅片（substrate）未来国产化后成本降低，这个值可能还会更具吸引力。——这部分在EDN后续关于产业链上下游的文章中会做进一步的分析。
今年大会的一个亮点是ARM的加入，不过ARM声称各大工艺都有自己的优势，并没有给出优劣。
但GF给出了相同的ARM内核，在采用28HKMG（高介电常数金属闸极)工艺和FD-SOI工艺时，在芯片面积、功耗方面的对比。
制造成本比较容易算出来，而设计成本也是不可忽略的一环。IBS首席执行官Handel H.Jones给出的数据如下，包括硬件设计和软件设计。
他认为，12nm FD-SOI的设计成本在5000万-5500万美金，而16nm的FINFET设计成本在7200美金左右，10nm FINFET设计成本在1.31亿美金。
很多业内人士认为FD-SOI是中国IC产业弯道超车的机会。格芯首席执行官Sanjay Jha坚信FD-SOI技术能够在中国取得巨大的发展。
目前已有10家中国客户在一年内流片或有测试芯片。
初步分享完关于FD-SOI工艺目前的性能+成本后，相信更多的读者对该技术产生了足够大兴趣，接下来EDN带来关于上下游产业链的情况：
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