Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻,-12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装，3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积。

全球40%的电能是被电机消耗的，在提升工厂自动化水平这一需求的推动下，提高工业电机功率效率和性能的需求水涨船高。

IGBT失效的主要原因是过温。对于低电压、小电流的逆变系统设计，技术已经非常成熟，然而，对于高电压、大电流的应用，技术难度激增。

微控制器和FPGA对IGBT和IPM等大功率开关设备产生的噪声非常敏感，需要把产生很多噪声的IPM传动系统与敏感的控制电路进行电隔离，这种应用恰好是通常被称为IPM驱动的一类高速光耦的理想应用。

积极拓展产品应用领域和先进技术 GTAT谋求新一轮增长。

Altera DC-DC电源转换器解决方案系统功效提高35%，而电路板面积减小了50%,新推出的电源优化FPGA参考设计简化了基于FPGA的系统开发.

意法半导体(ST)最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装，节省电路板空间

2013年9月16日，英飞凌电源管理全国巡回研讨会在武汉华美达光谷大酒店正式召开。

意法半导体(ST)推出新的改进版串联二极管，为设计人员提供经济的碳化硅二极管替代方案.

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻.器件采用2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装.

变光LED驱动器在低光量时会出现光输出稳定性问题，本文将探究这个问题的根源，并提出一个解决方案。

Vishay的新款MOS势垒肖特基整流器具有10A和15A器件中业内最低的正向压降.该器件用于智能手机和平板电脑充电器，采用TO-277A(SMPC)封装.

赛普拉斯发布集成了USB的超低功耗PSoC 1器件,对于快速、低成本地开发基于电池的应用，CY8C24x93是理想的器件.

本文所述电路原用于一个热致发光(TL)仪器设计，设计中的微控制器、USB接口控制器，以及10个运放均作为小功率器件，从一个USB端口获得全部电源。

TI推出了采用最新专利MaxLife快速充电技术的两款电源管理芯片组：bq27530与bq27531电量监测计电路和bq2416x与bq2419x充电器。MaxLife技术可优化电池性能，帮助客户加速充电，还可实现最低的电池损耗。