上周在深圳举行的安博会应该是近来最具规模的一场展会，几大展馆淋漓尽致的体现着行业的最新技术，EDN记者看到了我们常谈到的几大关键词的实际应用情况：大数据、智能分析、行业应用、民用安防、云存储、4K与H.265，在大会同期，英特尔携合作伙伴海康威视、浙江大华和华为一起举行了媒体分享会，在此和读者一起分享下安防行业的变化及一点发现。

早在15年前引出FD-SOI这个概念的时候，SoI的基底是个障碍，因为其在硅的顶层需要一层非常薄的膜，薄的只有门厚度的1/3到1/4. 芯原公司CEO戴伟民博士对FD-SOI上的这层薄膜有个经典比喻：“这层膜的平坦度，相当于飞去纽约的飞机一路上下颠簸不超过5厘米。”——听起来几乎是不可能完成的任务。

FD SoI一直宣称能提供FinFET工艺级别的性能及功耗，但制造成本却降低一个级别。在目前已有的三家代工厂中，与另外两家(ST和三星)不同的是，Globalfoundries公司缺少兄弟IC设计公司——只能接外部定单，且该公司是跳过28nm，首个推出22nm FD-SOI工艺的代工厂。那么，您是否知道22FDX到底有哪些好？

芯片分析行业的发展方向是专业化。以前像Intel这样的大公司追求的是大而全，但是其实验室利用率相当低，并且成本不合算。因此，很多公司趋向于将高端的分析外包给专业的第三方实验室去做。

现阶段无论是保全业者、电信营运商提供或消费者自行从3C卖场购回的家庭监控系统，功能大多仍很"阳春"—仅是将录像内容实时透过网络并可在行动装置上观看—这样的功能对消费者而言，时间一久，就会出现对家庭监控功能感到"可有可无"的状况。

所示紧凑型双芯片电路提供非接触式各向异性磁阻(AMR)测量解决方案，可用于角度或线性位置测量。 该双芯片系统在180°范围内具有优于0.2°的角精度，在0.5英寸范围内具有2 mil（0.002英寸）线性精度，具体取决于所用磁体的尺寸。

“大气十条”、“水十条”、“土十条”等都将带动环境监测仪器的市场机会，而这些仪器都离不开模拟芯片。水分析领域即将迎来高速增长，模拟芯片厂商开始行动了吗？

在“TE创新日”活动上，EDN China有幸与TE CTO及各领域专家进行了深入交流。从汽车电子、V2V到数字化工厂、先进制造，再到物联网、智能家居，数据、电力或信号所到之处，都有着TE的连接和传感解决方案。

上一篇IIC创客报道文章，介绍了一位老兵创客。做了二十多年的电子元器件贸易的老商，竟然会突然转身去做可以为孩子们用电子积木，看来只要你有有一颗纯（爱）真（玩）的心，你就能够找到新的乐趣。

无人驾驶汽车，机器人服务员……曾经科幻中的景象出现在现实生活中，它们全都有赖于人工智能。

SiC功率器件作为可显著减少功率转换损耗的关键器件而得到业界的广泛关注，其供应商以美国Cree、日本ROHM等公司为典型代表。2010年，ROHM率先宣布量产SiC MOSFET产品，开始了这一产品的市场化进程。近年来，ROHM不断推进SiC领域的创新研究，在进一步降低功率损耗方面寻求不断突破。

GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产，为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持，将会采纳。

Stratasys公司的2015 3D打印用户大会在深圳举办。该大会旨在从贴近市场、满足本地需求的角度，聚集行业专家、企业客户和个人用户，共同探讨3D打印的创新应用和发展趋势。

今天各大网站被IBM 7nm刷了屏，Intel瞬间躺qiang。IBM再一次震撼了我，还记得2008年时，IBM直接跳过了32nm制程，高调宣布首个基于22 nm制造工艺的SRAM，从而在制程工艺上首次领先Intel。“率先声明”似乎是IBM一贯的作风。

今天各大网站被IBM 7nm刷了屏，Intel瞬间躺qiang。IBM再一次震撼了我，还记得2008年时，IBM直接跳过了32nm制程，高调宣布首个基于22 nm制造工艺的SRAM，从而在制程工艺上首次领先Intel。“率先声明”似乎是IBM一贯的作风。