三星、高通的家底还算是殷实的，哪怕 10nm 的良品率低，也能持续的砸钱，而联发科就惨了……

作为强悍的IDM厂商的Intel显然不是单纯的代工厂,这就是Intel难以给第三方代工的重要因素。而展讯却是少有的和Intel互补远远多于竞争的企业,所以才有合作的基础。

澎湃S1在CPU、GPU和基带上都属于中规中矩，完全能够满足日常使用，适合在中低端移动版和联通版的手机中替代高通骁龙615、骁龙616、联发科P10等SoC，而并非其定位的中高端。既不能降低成本，又难以替代高通，那S1的价值在哪里？

中国成都这一12寸代工厂是中国目前最大的12寸逻辑芯片代工厂。这一代工厂每年会有100万片晶圆的产量，其会分两个阶段进行建设。

从全球半导体业的趋势，尽管尺寸缩小的路还能往下走，但是越来越困难，只有那些对于计算功能要求高的芯片才会采用finFET技术，但是不可否认现阶段它居主流地位。而定律的另一支，采用3D等封装技术的堆叠芯片，及能满足低功耗为主的芯片，正在醖酿喷发。

最新的“倾斜离子注入”（TII）制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸……

使用自我复原的全包围栅极（GAA）晶体管打造的测试芯片，包含DRAM和逻辑电路。

近年媒体的大陆报道，让我们知道中国集成电路离世界先进水平还很远。但在这里我先说一个很少被报道的产业，中国也几乎都依赖进口，那就是IGBT等功率元器件。我认为这是真的重点发展，且必须重视的产业，因为在高铁和现在大力发展的新能源汽车领域，IGBT是必不可少的，如果都掌握在别人手里，那就会对发展造成影响。

北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇课题组在碳纳米管电子学领域进行了十多年的研究，发展了一整高性能碳纳米管CMOS晶体管的无掺杂制备方法，通过控制电极功函数来控制晶体管的极性。

在旧金山举行的2016年国际电子器件会议上，比利时研究组织IMEC首次报导了垂直堆叠的围栅(GAA)硅纳米线MOSFET的CMOS集成。

在先前，台积电计划推出一款由16nm改进而来的12nm制程工艺。而在最近台积电高层表示确实有研究过类似的东西（12nm），但对于这一命名尚未明确。